在近日出版的《科学》杂志上，复旦大学教授张卫课题组所研发的“半浮栅晶体管（SFGT）”引起世界关注，这一创新成果有望使电子芯片的性能实现突破性提升，是有助于占领国际芯片设计与制造战略制高点的尖端技术。这一成果对提振我国芯片产业具有积极意义的同时，也提醒我们面对这样一个事实，那就是我国芯片产业的整体水平仍然不高。我国芯片企业需要在加速创新的同时，要更多考虑知识产权的运用，通过专利共享等方式，加速与国际先进水平的融合，才能推动产业健康发展。

从上个世纪60年代起至今，我国芯片产业从初创到成熟走过了近50个年头，自主研发能力不断提高，取得了一个又一个突破。复旦大学芯片领域的突破性成果，再一次有力地证明了我国芯片产业的创新能力。尽管从自身发展角度看，我国芯片产业发展迅速、进步明显。但放在世界的角度，我们与国际领先水平还有不小距离，大量的芯片关键领域的核心技术专利仍然为外国公司所控制，我国芯片企业拥有的专利等知识产权尚不占优。这种在知识产权上的劣势带来的后果是，一旦发生专利侵权纠纷，我国企业很难置身事外，必将面临一定的风险。此时，如果能通过专利共享等知识产权策略的运用，集中我国芯片企业优势，弥补在高科技领域底子薄的劣势，提高研发水平，优化知识产权布局，便可以形成合力，以创新求发展，使我国芯片产业在国际芯片设计与制造领域内逐渐获得更多的话语权。

芯片专利共享由公司的自愿行动构成，通常而言，专利持有人在一定的条件下，可以将其专利共享。据了解，今年7月4日，处于芯片行业领先地位的三星电子和SK海力士签署了专利共享授权协议。依据协议，两家公司所拥有的包括半导体在内的数万件专利将在共享范围之内。有关人士分析，两家公司基于专利共享，可互惠互利，更好地凝聚技术创新力量，开拓新的市场。更重要的是，通过专利共享协议可避免因为专利纠纷引起不必要的消耗战。对此，有学者表示，当今技术标准发展的重要趋势是技术标准与专利捆绑。专利共享很重要的意义便在于为参加共享的企业在将来共同推行行业标准打下了基础。

总而言之，“打铁还需自身硬”，要走切实提高企业创新能力这条根本之路，利用好专利共享模式，切实做好知识产权战略部署，占领尖端技术创新制高点。我们有理由相信，中国芯片企业必将在未来的产业发展之路上焕发出勃勃生机。

（来源：知识产权报）