BinOptics日前表示成功在硅光子应用中利用了他们专利的EFT技术（Etched Facet Technology刻蚀面技术）。

EFT技术为BinOptics公司CEO Alex Behfar在康奈尔读博士期间发明。利用这种技术开发InP激光器以及其他光子器件相比传统的切割工艺可以有更好的性能，更高的可重复性，可靠性以及品质，同时保持可负担得起的成本。自从2000年Behfar合办BinOptics公司以来，基于这种工艺，BinOptics已经发售了4000万只激光器。

BinOptics表示EFT技术可以用于硅光子应用中外部激光器的集成。目前的硅光子应用面临可重复性，灵活性，集成度以及性能方面的挑战。BinOptics开发的InP激光器和其他光子器件有助于克服这些问题。EFT技术支持垂直面辐射和用于无源耦合的精确的端面成型，而且成品率很高。相比通常使用的主动耦合工艺，无源耦合对于设备要求更简单，对于硅光子器件的大规模生产非常重要。

BinOptics表示最近客户对于在硅光子应用中利用基于EFT工艺的激光器非常积极。

（来源：光纤在线）